α-Line高分辨光刻对准系统

α-Line 高分辨对准系统

高分辨率光刻，更加简单

采用全新设计理念和极简化方案，α-Line 重新定义了高性价比手动接触式对准机的性能预期。借助现代化组件以及 Cygnus Photonic 先进的 π-Photon 172 nm 曝光光源，α-Line 简化了传统高分辨率光成像流程，并引入了现有对准系统无法实现的新型工艺能力。α-Line 是一套通用型手动对准与曝光系统，将对准设备的实用性从微电子和传统光刻胶领域扩展到更广泛的应用场景。依托专有技术，现在可以直接在 PMMA、ABS 及其他有机聚合物上进行成像，从而使 α-Line 非常适合 MEMS、生物工程和生命科学领域的需求。

应用领域

• 传统光刻

• 聚合物直接成像 / 光烧蚀

• 微流控与纳流控

• 光学元件

• 图案化表面能调控

• 选择性表面功能化

特点

• 高分辨率对准与曝光系统，结构坚固，占地面积小

• 回归本质的设计理念，专注于精度、稳定性和操作简便性

• 更广泛的光化学体系和基底材料，突破传统光刻的限制

• 适用于各种操作人员技能水平，均可获得稳定、高质量的结果

• 光刻可随处开展：低功耗，并提供独立运行选项

• 安装后即可长期稳定运行：坚固的机械和光学组件延长了维护和校准周期

• 适用于半导体、微流控、生物检测、光学等多个技术领域

样品 / 基底

• 最大尺寸：50 mm × 50 mm（2” × 2”）

• 最小尺寸：10 mm × 10 mm（0.4” × 0.4”）

• 掩膜 + 样品最大总厚度：8 mm

掩膜尺寸

• 75 mm × 75 mm（3” × 3”）

• 可选定制尺寸

样品对准

行程范围

• X、Y：± 6 mm

• Theta：± 10°（粗调），± 3°（精调）

分辨率

• X、Y：< 1.5 μm（可选 < 0.5 μm）

• Theta：2 × 10^-4 °

电源要求

电压

• 12 VDC，110/220 V AC

• （随附 12 VDC 适配器）

功耗

• < 20 W

辅助条件

• 真空（可选）：< -0.2 bar

• 压缩空气（可选）：> 1.1 bar

曝光模式

• 软接触

• 硬接触

物理尺寸

• 宽度：205 mm（8”）

• 深度：230 mm（9”）

• 高度：400 mm（15.5”）

重量

• < 12 kg（26.5 lb）

曝光波长

（需配合 π-Photon 使用，单独出售）

• 172 nm

• 222 nm

• 308 nm

* 运行时需要使用干燥氮气或氩气进行吹扫。

** UV 级熔融石英的透过光谱需由制造商确认。