PHEMOS-X

产品概述：
PHEMOS-X 是一款正装高分辨率微光显微镜，可捕捉半导体器件故障导致的发光和产热，并识别故障位置。其可用于从电源设备到先进设备分析等各种用途。

特点：

高分辨率与高灵敏度：具有≤1μm 的超高分辨率，可捕捉半导体器件故障导致的发光和产热，清晰显示半导体器件内部的微观结构和缺陷，实现从成熟制程到先进制程芯片的失效分析测试。

多种分析技术适配滨松光子学株式会社：可安装两个超高灵敏度相机，涵盖不同的发射分析和热分析检测波长范围，能轻松选择与样品和故障模式相匹配的分析技术。还可安装多达 7 个 OBIRCH、DALS、EOP 和激光器标记光源，满足多种分析需求。

高精度载物台滨松光子学株式会社：专为先进设备设计，光学载物台的工作范围为 X±20mm、Y±20mm、Z+80mm，确保了测试的准确性和稳定性。

先进的显示功能滨松光子学株式会社：可将微光图像叠加在高分辨率图案图像上，快速定位缺陷点。具备对比度增强功能，使图像更清晰、更细腻。此外，还支持注释、刻度显示、网格显示、缩略图显示、拆分屏幕显示等多种显示功能，方便用户进行图像分析。

多波长激光扫描：采用新型多波长激光扫描仪，结合独特的内部光学设计技术，可抑制光学损耗，利用从 532 纳米的可见光到 1340 纳米的近红外光的多波长激光束进行半导体故障分析，相比之前使用波长较短的激光，可以更详细地观察半导体器件。

适配多种样品和场景：可与通用探测仪结合使用，用户能使用熟悉的样品设置来执行各种分析任务，适用于从探针台插座板到大型 300mm 晶圆探针台等多种任务和应用场景。

软件效果演示：

参数：

尺寸/重量：主机:1656 mm (W)×2000 mm (H)×1247 mm(D)，约 1640 kg

操作台：1000 mm (W)×700 mm (H)×800 mm (D)，约39.2kg（C16216-01 操作台）/1480 mm (W)×700 mm (H)×800 mm(D)，约48.6 kg（C16216-02 操作台）

线路电压：单相200 V ~ 240 V

用电功耗：约 3300 VA

真空度：至少 80 kPa

压缩空气：0.6 MPa~0.7 MPa