功能一览

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微光显微镜功能EMMI

该设备配备高灵敏度相机，可检测半导体器件在工作时产生的微弱光发射。它能够将这些微弱的光信号放大并成像，从而帮助用户观察到器件内部的微观发光情况，实现对半导体器件内部缺陷的可视化检测，如漏电、短路等问题引发的发光异常部位，适用于从成熟制程到先进制程芯片的失效分析测试。此外，PHEMOS-X还具有基本显示功能，如叠加显示、对比度增强、注释、刻度显示、网格显示、缩略图显示和拆分屏幕显示等，方便用户对图像进行分析和处理。

CMOS相机：针对可见光波段，适用于化合物半导体（如SiC）正面及背面分析。

应用场景：

● 化合物半导体器件底部分析

● 高压驱动器件耐压故障检测

InGaAs相机：针对近红外波段（900nm以上），适用于硅器件低压驱动和弱光检测。

应用场景：

● 硅半导体器件底部分析

● 低压驱动器件结故障检测 

热点分析功能Thermal

可以检测由半导体器件缺陷引起的热辐射，从而定位热点区域。它通过高灵敏度的探测器捕捉这些热信号，并将其转化为可视化的图像，帮助工程师快速找到器件中因过热等问题导致的故障点，例如PN结漏电、栅氧缺陷等问题都可以通过热点分析来定位。

应用场景：

● 化合物半导体器件底部分析

● 高压驱动器件耐压故障检测

激光诱导检测IR-OBRICH

可配备多波长激光扫描系统，最多可以配备五个激光器，输出波长从可见光到近红外光不等。通过激光束诱导阻抗变化（OBIRCH）功能，能够从正面直接对功率MOSFET等器件的大漏电流进行定位观察。同时，激光诱导还可用于激发半导体器件，使其产生特定的光学或电学响应，以便更全面地分析器件的性能和缺陷，并且可与通用探针台结合使用，支持多种分析任务。

IR-OBRICH优势